Ai Còn Sản Xuất Công Suất RF? Bản Đồ Nhà Cung Cấp 2027

Bài viết đầu tiên trong loạt bài này, 6G Has a Date Now – Your RF Front End Has a Deadline, cho thấy phổ tần mới gần 7 GHz sẽ đòi hỏi các RF front end mới. Hệ sinh thái nhà cung cấp công suất RF mà các thiết kế này sẽ phụ thuộc vào đang thay đổi. NXP đang thu hẹp dòng sản phẩm Radio Power và đóng cửa fab gallium nitride (GaN) ECHO của hãng tại Chandler, Arizona.

Các thiết kế vẫn đang sử dụng linh kiện công suất RF của NXP giờ đây cần những phương án thay thế đã được thẩm định từ các nhà cung cấp khác. Bài viết này phác họa những đơn vị vẫn còn sản xuất thiết bị công suất RF, nguồn cung đó đang dịch chuyển ra sao, và cách giữ cho BOM RF có khả năng chống chịu trong suốt quá trình chuyển đổi.

Những điểm chính

• Các mốc last-time-buy của Radio Power của NXP đã khép lại: Việc đặt hàng kết thúc vào ngày 30 tháng 9 năm 2026, và các đợt giao hàng cuối cùng kéo dài đến ngày 30 tháng 9 năm 2027.
• Không tồn tại một nhóm thay thế duy nhất: SEDI, Qorvo, Ampleon, MACOM, RFHIC và Mitsubishi Electric mỗi bên bao phủ các tổ hợp khác nhau về tần số, công suất, đóng gói và ứng dụng.
• Các nhà cung cấp khác đang lấp vào khoảng trống này: Ampleon đang mở rộng danh mục 5G GaN, MACOM hiện đã nắm quyền kiểm soát một fab RF GaN-on-SiC, và Trung Quốc đang xây dựng chuỗi cung ứng RF GaN của riêng mình.
• Khả năng chống chịu về vòng đời bắt đầu ngay từ giai đoạn đưa vào thiết kế: Các phương án thay thế đã được thẩm định và một quy trình rõ ràng cho các thay đổi về vòng đời và nhà cung cấp cần có mặt trong kế hoạch thiết kế ngay từ sơ đồ nguyên lý đầu tiên.

Các mốc last-time-buy của NXP đã khép lại

Cả hai đợt last-time-buy của NXP Radio Power nay đều đã kết thúc. Thông báo ngừng sản xuất đầu tiên, theo bản cập nhật, ấn định ngày last-time-buy là 10 tháng 6 năm 2026, với giao hàng kết thúc vào ngày 10 tháng 12. Thông báo thứ hai đóng đặt hàng vào ngày 30 tháng 9 năm 2026, với các đợt giao hàng cuối cùng kéo dài đến ngày 30 tháng 9 năm 2027.

Bức tranh sau NXP

Không có một danh sách thay thế NXP mang tính phổ quát. Tập hợp nhà cung cấp khả thi thay đổi theo tần số, công suất đầu ra, đóng gói, kiến trúc bộ khuếch đại công suất (PA), yêu cầu thẩm định, và việc thiết kế phục vụ thị trường viễn thông, công nghiệp hay quốc phòng.  

Đối với hạ tầng không dây dưới 6 GHz, một số nhà cung cấp đang có danh mục GaN hoạt động tích cực. Sumitomo Electric Device Innovations (SEDI) sản xuất transistor GaN high-electron-mobility (HEMT) cho các trạm gốc di động, bao gồm cả ứng dụng 5G. RFHIC liệt kê các transistor GaN-on-silicon carbide (SiC) đang được sản xuất cho hạ tầng macro 4G và 5G, bao gồm các sản phẩm trong dải 3,4 đến 5,0 GHz. 

Mitsubishi Electric đã giao mẫu của ba mô-đun bộ khuếch đại công suất GaN cho các trạm gốc massive MIMO 5G kể từ năm 2023, gần đây nhất là vào tháng 3 năm 2025. Qorvo liệt kê các bộ khuếch đại công suất GaN cho hạ tầng đang được sản xuất cùng các thiết bị RF front end rộng hơn. Ampleon bao phủ cả laterally diffused metal-oxide-semiconductor (LDMOS) và GaN, trong khi MACOM cung cấp các sản phẩm GaN-on-SiC, mạch tích hợp vi sóng nguyên khối (MMIC) và năng lực foundry nội bộ.

Dưới 6 GHz, bản đồ nhà cung cấp đã khá rõ ràng. Gần 7 GHz, linh kiện sản xuất cho hạ tầng di động lại khá khan hiếm. Mitsubishi Electric đã trình diễn một mô-đun bộ khuếch đại công suất GaN 7 GHz nguyên mẫu cho 5G-Advanced. RFHIC cung cấp một bộ khuếch đại GaN 5,8 đến 7,2 GHz ở giai đoạn sample, và Qorvo liệt kê một bộ khuếch đại công suất GaN 6 đến 12 GHz đang được sản xuất, hướng tới các ứng dụng RF rộng hơn. GaN hoạt động tốt ở các tần số này, nhưng nhóm nhà cung cấp sản xuất cho hạ tầng di động Frequency Range 3 (FR3) vẫn chưa hình thành đầy đủ.

Ampleon và MACOM tiến vào khoảng trống

Được tách ra từ mảng RF Power của NXP vào năm 2015, Ampleon có mối liên hệ lịch sử rõ ràng nhất với công ty mẹ cũ. Trong mùa xuân và mùa hè năm 2026, hãng đã bổ sung một số thiết bị hạ tầng không dây vào danh mục của mình, bao gồm một transistor GaN Doherty 70 W cho dải 3,4 đến 4,0 GHz, một thiết bị GaN 55 W cho dải 4,8 đến 5,0 GHz, và một mô-đun bộ khuếch đại công suất massive-MIMO GaN 70 W tích hợp hoàn toàn.

Trong cuộc gọi công bố kết quả kinh doanh tháng 5 năm 2026, ban lãnh đạo MACOM cho biết bất kỳ doanh thu mới nào từ việc một đối thủ rời bỏ thị trường RF-power có lẽ sẽ chưa đến cho tới nửa cuối năm 2027. Khách hàng vẫn đang xử lý các đợt last-time buy, và việc chuyển một tầng công suất RF sang nhà cung cấp mới đòi hỏi công việc thiết kế lại và thẩm định trước khi có thể giao hàng khối lượng lớn.

Vào tháng 7 năm 2025, MACOM cũng đã nắm toàn quyền kiểm soát fab wafer RF trước đây của Wolfspeed tại Research Triangle Park, sớm hơn khoảng sáu tháng so với kế hoạch. Fab này, một Trusted Foundry được Bộ Quốc phòng Hoa Kỳ (DoD) công nhận, vận hành các quy trình GaN-on-SiC cho thiết bị công suất RF và MMIC sử dụng trong viễn thông và quốc phòng.

Skyworks hoàn tất thương vụ mua lại Qorvo

Một phần khác của hệ sinh thái nhà cung cấp RF cũng đã được hợp nhất. Skyworks công bố thỏa thuận mua lại Qorvo vào tháng 10 năm 2025, nhận được các phê duyệt pháp lý cuối cùng vào ngày 30 tháng 9 năm 2026, và hoàn tất giao dịch vào đầu tháng 10.

Các thương vụ sáp nhập bán dẫn quy mô lớn có thể dẫn đến việc tinh gọn danh mục khi các dòng sản phẩm chồng lấn lên nhau. Cho đến khi lộ trình sản phẩm kết hợp trở nên rõ ràng, việc rà soát vòng đời nên được thực hiện trước bất kỳ quyết định đưa vào thiết kế mới nào phụ thuộc vào các họ sản phẩm chồng lấn của Skyworks hoặc Qorvo. Rủi ro hợp nhất này không chỉ giới hạn ở các PA trạm gốc công suất cao, vì cả hai công ty đều hoạt động trên nhiều tầng khác nhau của RF front end.

Trung Quốc xây dựng chuỗi RF GaN của riêng mình

Trung Quốc đang nội địa hóa nhiều hơn chuỗi RF GaN. SICC cung cấp nền SiC bán cách điện cho các thiết bị RF GaN, trong khi Sanan IC vận hành một nền tảng foundry GaN-on-SiC 4 inch hướng đến các trạm gốc massive-MIMO và các ứng dụng FR3 trong tương lai. Sanan cho biết quy trình PA 5G của hãng đã đạt đến mức sản xuất hàng loạt ổn định cho khách hàng, mặc dù việc một chương trình cụ thể có thể sử dụng năng lực đó hay không còn phụ thuộc vào thẩm định, tìm nguồn cung và các ràng buộc kiểm soát thương mại.

Bốn thực hành để có một BOM RF bền vững

Khả năng chống chịu về vòng đời phụ thuộc vào việc nhìn thấy thay đổi đủ sớm để hành động và có sẵn một quy trình để phản ứng. Bốn thực hành này rút ngắn thời gian giữa một thay đổi từ nhà cung cấp và phản ứng kỹ thuật.

1. Kiểm tra trạng thái vòng đời ngay khi đưa vào thiết kế. Xác định các linh kiện nguồn đơn hoặc đang già hóa khi sơ đồ nguyên lý và kế hoạch thẩm định vẫn còn mở, để bạn có thời gian đánh giá các phương án thay thế mà không buộc phải thiết kế lại ở giai đoạn muộn.

2. Thẩm định các phương án thay thế khi thiết bị chính vẫn còn đang sản xuất. Với công suất RF, việc thẩm định có thể bao gồm matching, bias, đặc tính nhiệt, layout, độ tuyến tính, predistortion và kiểm thử sản xuất. Hãy hoàn tất công việc đó trước khi dựa vào một phương án thay thế như nguồn cung thứ hai.

3. Giao thông báo thay đổi sản phẩm (PCN) cho một người phụ trách cụ thể và một quy trình được xác định rõ. Người phụ trách được chỉ định sẽ ghi nhận từng thông báo, xác định BOM và chương trình bị ảnh hưởng, gán một hướng xử lý (thẩm định phương án thay thế, last-time buy, thiết kế lại hoặc không hành động) cùng thời hạn, rồi theo dõi đến khi khép lại. Nếu không có quy trình xác định rõ, một PCN sẽ rơi vào một hộp thư đơn lẻ và bị chuyển tiếp mà không có ghi nhận ai đã quyết định điều gì.

4. Theo dõi tồn kho và tín hiệu vòng đời giữa các thông báo chính thức. Xu hướng tồn kho của nhà phân phối và trạng thái vòng đời có thể thay đổi trước hoặc song song với một PCN. BOM Tool của Octopart hiển thị tình trạng sẵn có tại nhà phân phối và trạng thái vòng đời cho các linh kiện đã được đối sánh trên một BOM, để bạn có thể thấy lượng tồn kho của một linh kiện công suất RF đang giảm xuống trước khi thông báo xuất hiện.

Những mốc thời gian cần theo dõi

Năm mốc thời gian đánh dấu quá trình thu hẹp của NXP và việc chuyển giao tại Chandler, từ tháng 12 năm 2026 đến đầu năm 2029.

• Ngày 10 tháng 12 năm 2026: Các đợt giao hàng cuối cùng kết thúc đối với làn sóng ngừng sản xuất Radio Power đầu tiên của NXP.
• Quý I năm 2027: NXP dự kiến có các wafer GaN ECHO cuối cùng, theo tuyên bố của hãng được Light Reading đưa tin.
• Đầu năm 2027: Tùy thuộc vào phê duyệt pháp lý, Nokia có kế hoạch bắt đầu thuê năng lực sản xuất tại một phần của khuôn viên Chandler mà hãng đã đồng ý mua lại, và chuyển đổi địa điểm này sang sản xuất indium phosphide (InP) cho các linh kiện quang học.
• Ngày 30 tháng 9 năm 2027: Các đợt giao hàng cuối cùng kết thúc đối với làn sóng Radio Power thứ hai của NXP.
• Quý I năm 2029: Thương vụ mua lại toàn bộ địa điểm của Nokia dự kiến sẽ hoàn tất.

Việc chọn một thiết bị công suất RF trong năm 2027 bắt đầu với ba câu hỏi về nhà cung cấp: ai có thể sản xuất nó ở tần số mục tiêu, năng lực fab đang dịch chuyển về đâu, và những nguồn nào có khả năng vẫn duy trì được tính khả thi trong suốt vòng đời phục vụ của sản phẩm.

Vẫn còn một câu hỏi: liệu một linh kiện đang tồn tại, đã được thẩm định và có sẵn hàng tồn kho có thể được giao đến nơi sản phẩm được sản xuất hay không? Bài viết kết thúc của loạt bài này, The Gallium Problem in Your Radio: Export Controls and Single-Source Front Ends, sẽ trả lời câu hỏi đó.