En la primera parte de esta serie, Cómo la IA rompió el mercado de la memoria, analizamos cómo la demanda de los centros de datos de IA convirtió la memoria en un cuello de botella y por qué es poco probable que los precios de la DRAM y la NAND se normalicen rápidamente. Ahora exploraremos cómo operar en este entorno. Si diseñas o abasteces hardware en 2026, aún tienes que tomar decisiones: qué componentes especificar, cómo estructurar tus diseños para ganar flexibilidad y cómo gestionar el riesgo de la cadena de suministro.
Veremos los componentes de memoria de “próxima ola” que vienen en camino y luego pasaremos a algunos componentes DRAM y flash consolidados. A partir de ahí, presentaremos guías prácticas tanto para ingeniería como para compras.
Para una visión general de los componentes de memoria, las páginas de categorías de Octopart para circuitos integrados de memoria y memoria flash son buenos puntos de partida para buscar entre fabricantes, encapsulados y disponibilidad.
Diseñada para IA en el dispositivo, automoción y plataformas móviles y de PC de próxima generación, Samsung’s LPDDR6 ofrece mejoras significativas de eficiencia frente a LPDDR5X, una arquitectura de E/S ampliada y una velocidad inicial de hasta 10,7 Gbps, con el estándar LPDDR6 diseñado para escalar aún más a medida que madure el ecosistema. Todavía no verás LPDDR6 en las estanterías de los distribuidores, pero si diseñas en torno a SoC de última generación o dispositivos insignia, deberías esperar encontrártelo.
En la parte más alta de la pila, los dispositivos HBM4 de 16 capas y 48 GB de SK Hynix prometen más de 2 TB/s de ancho de banda, con producción en masa prevista en torno al tercer trimestre de 2026. Samsung está adoptando un enfoque diferente, utilizando lógica de 4 nm y DRAM 1c para mejorar el rendimiento térmico. Los ingenieros que trabajan en hardware de IA normalmente no adquirirán estos componentes a través de distribuidores de catálogo, pero HBM4 importa a todos porque está absorbiendo una gran parte de la capacidad avanzada de DRAM, lo que explica en parte por qué la DRAM convencional sigue tan ajustada.
Con más de 400 capas y una interfaz de 5,6 GT/s, la V-NAND de 10.ª generación de Samsung apunta a SSD PCIe 5.0 y futuros PCIe 6.0 para cargas de trabajo de centros de datos y de clase IA. Cabe esperar que TLC de alta densidad basada en este silicio sirva de base para muchas unidades empresariales y de cliente de gama alta durante los próximos años.
Esta BiCS10 de 332 capas con interfaz Toggle DDR 6.0 ofrece 4,8 Gb/s por pin y está orientada a almacenamiento para IA e hiperescaladores. Según EE Times, Kioxia ha dicho que toda su producción NAND de 2026 ya está vendida para aplicaciones relacionadas con IA, y adelantó la rampa de BiCS10 desde la segunda mitad de 2027 a 2026 para satisfacer la demanda.
Estos componentes estaban disponibles para pedido en grandes distribuidores a principios de marzo de 2026. La disponibilidad cambia rápidamente, así que verifica el stock y el estado del ciclo de vida en Octopart antes de cerrar una BOM.
En este contexto, los ingenieros de hardware todavía pueden tomar muchas medidas para hacer que los diseños sean más resilientes.
La situación exige atención. A finales de febrero de 2026, Lenovo advirtió a sus socios de canal que hicieran pedidos antes de fin de mes para evitar las subidas de precios de marzo, mientras que TrendForce proyectó que la DRAM para PC combinada (DDR4/DDR5) subiría entre un 105 % y un 110 % intertrimestral solo en el primer trimestre. La guía siguiente refleja esta nueva realidad.
En la primera parte de esta serie, explicamos el porqué de la escasez de memoria. Y aquí hemos explorado qué hacer ahora. La respuesta es la misma tanto si eres ingeniero como si trabajas en compras: la flexibilidad es la mejor cobertura. Diseña para la sustitución, homologa ampliamente y usa herramientas como Octopart para mantener tus opciones visibles y actualizadas. Los equipos que saldrán de este ciclo en mejor posición serán los que hayan incorporado opcionalidad en sus diseños y cadenas de suministro desde el principio y sigan adaptándose a medida que evolucionen el suministro y los precios.
La escasez actual está impulsada por la asignación de obleas, no por límites tecnológicos. Los proveedores de memoria están priorizando la demanda de IA de alto margen, especialmente HBM y DRAM para centros de datos, bajo contratos plurianuales. Como HBM consume significativamente más capacidad de oblea por bit que la DRAM convencional, queda menos capacidad para DDR5, LPDDR y NAND, lo que mantiene la disponibilidad ajustada.
LPDDR6 y HBM4 indican hacia dónde se dirigen las plataformas, pero la mayoría de los productos de 2026 se enviarán con DDR5, LPDDR5X y NAND madura que ya está disponible. Los ingenieros deberían diseñar pensando en la compatibilidad futura mientras seleccionan componentes que puedan abastecerse de forma fiable durante la producción, en lugar de apostar por piezas que aún no están en distribución.
Los diseños resilientes se centran en la flexibilidad y la sustitución. Esto incluye estandarizar interfaces convencionales, homologar múltiples densidades y proveedores, evitar supuestos rígidos sobre la memoria en el firmware y usar zócalos o módulos cuando sea posible. Admitir opciones de memoria con binning inferior garantiza que los productos puedan seguir enviándose cuando las piezas de mayor capacidad estén restringidas.
Compras debe tratar la memoria como un recurso estratégico, no como un commodity. Entre las mejores prácticas se incluyen asegurar asignaciones a largo plazo para los SKU críticos, construir AVL en torno a familias en lugar de piezas individuales, supervisar el ciclo de vida y las alternativas con herramientas como Octopart, y mantener inventario de forma selectiva para productos de ciclo de vida largo a fin de evitar rediseños forzados.