Quem Ainda Fabrica Potência de RF? O Mapa de Fornecedores de 2027

O primeiro artigo desta série, 6G Has a Date Now – Your RF Front End Has a Deadline, mostra que o novo espectro próximo de 7 GHz exigirá novos front ends de RF. A base de fornecedores de potência de RF da qual esses projetos dependerão está mudando. A NXP está descontinuando sua linha de produtos Radio Power e fechando sua fábrica ECHO de nitreto de gálio (GaN) em Chandler, Arizona.

Os projetos que ainda utilizam componentes de potência de RF da NXP agora precisam de alternativas qualificadas de outros fornecedores. Este artigo mostra quem ainda fabrica dispositivos de potência de RF, para onde esse fornecimento está se movendo e como manter uma BOM de RF resiliente durante a transição.

Principais conclusões

• As janelas de last-time-buy de Radio Power da NXP foram encerradas: os pedidos terminaram em 30 de setembro de 2026, e as entregas finais seguem até 30 de setembro de 2027.
• Não existe um único conjunto de substituição: SEDI, Qorvo, Ampleon, MACOM, RFHIC e Mitsubishi Electric cobrem combinações diferentes de frequência, potência, encapsulamento e aplicação.
• Outros fornecedores estão ocupando esse espaço: a Ampleon está expandindo seu portfólio de GaN para 5G, a MACOM agora controla uma fábrica de RF GaN-on-SiC, e a China está fortalecendo sua cadeia de suprimentos de RF GaN.
• A resiliência do ciclo de vida começa já na entrada do projeto: alternativas qualificadas e um processo definido para mudanças de ciclo de vida e de fornecedores devem fazer parte do plano de projeto desde o primeiro esquemático.

As janelas de last-time-buy da NXP foram encerradas

Ambas as janelas de last-time-buy de NXP Radio Power já foram encerradas. O primeiro aviso de descontinuação, conforme atualizado, definiu 10 de junho de 2026 como a data final para last-time-buy, com entregas terminando em 10 de dezembro. O segundo aviso encerrou os pedidos em 30 de setembro de 2026, com as entregas finais se estendendo até 30 de setembro de 2027.

O cenário após a NXP

Não existe uma lista universal de substituições para a NXP. O conjunto viável de fornecedores muda conforme a frequência, a potência de saída, o encapsulamento, a arquitetura do amplificador de potência (PA), os requisitos de qualificação e se o projeto atende aos mercados de telecomunicações, industrial ou defesa.  

Para infraestrutura sem fio abaixo de 6 GHz, vários fornecedores têm portfólios ativos de GaN. Sumitomo Electric Device Innovations (SEDI) fabrica transistores GaN de alta mobilidade eletrônica (HEMTs) para estações rádio-base móveis, incluindo aplicações 5G. RFHIC lista transistores GaN-on-silicon carbide (SiC) em produção para infraestrutura macro 4G e 5G, incluindo produtos na faixa de 3,4 a 5,0 GHz. 

Mitsubishi Electric envia amostras de três módulos amplificadores de potência GaN para estações rádio-base massive MIMO 5G desde 2023, mais recentemente em março de 2025. Qorvo lista amplificadores de potência GaN para infraestrutura em produção e dispositivos mais amplos de front end de RF. Ampleon cobre LDMOS (laterally diffused metal-oxide-semiconductor) e GaN, enquanto a MACOM oferece produtos GaN-on-SiC, circuitos integrados monolíticos de micro-ondas (MMICs) e capacidade interna de foundry.

Abaixo de 6 GHz, o mapa de fornecedores está bem estabelecido. Próximo de 7 GHz, peças em produção para infraestrutura celular são escassas. A Mitsubishi Electric demonstrou um módulo protótipo de amplificador de potência GaN de 7 GHz para 5G-Advanced. A RFHIC oferece um amplificador GaN de 5,8 a 7,2 GHz em estágio de amostra, e a Qorvo lista um amplificador de potência GaN de 6 a 12 GHz em produção voltado a aplicações de RF mais amplas. O GaN funciona nessas frequências, mas o conjunto de fornecedores em produção para infraestrutura celular na Frequency Range 3 (FR3) ainda não está totalmente formado.

Ampleon e MACOM avançam para ocupar esse espaço

Desmembrada do negócio RF Power da NXP em 2015, a Ampleon tem a ligação histórica mais clara com sua antiga controladora. Durante a primavera e o verão de 2026, ela adicionou vários dispositivos de infraestrutura sem fio ao seu catálogo, incluindo um transistor GaN Doherty de 70 W para 3,4 a 4,0 GHz, um dispositivo GaN de 55 W para 4,8 a 5,0 GHz e um módulo amplificador de potência massive-MIMO GaN de 70 W totalmente integrado.

Em sua teleconferência de resultados de maio de 2026, a administração da MACOM disse que qualquer nova receita proveniente da saída de um concorrente do mercado de potência de RF provavelmente só chegaria no segundo semestre de 2027. Os clientes ainda estão consumindo os last-time buys, e mover um estágio de potência de RF para um novo fornecedor exige redesenho e trabalho de qualificação antes que qualquer volume seja enviado.

Em julho de 2025, a MACOM também assumiu o controle total da antiga fábrica de wafers RF da Wolfspeed em Research Triangle Park, aproximadamente seis meses antes do previsto. A fábrica, uma Trusted Foundry credenciada pelo U.S. Department of Defense (DoD), opera processos GaN-on-SiC para dispositivos de potência de RF e MMICs usados em telecomunicações e defesa.

Skyworks conclui sua aquisição da Qorvo

Outra parte da base de fornecedores de RF se consolidou. A Skyworks anunciou seu acordo para adquirir a Qorvo em outubro de 2025, recebeu as últimas aprovações regulatórias em 30 de setembro de 2026 e concluiu a transação no início de outubro.

Grandes fusões no setor de semicondutores podem levar à racionalização de portfólio quando há sobreposição entre linhas de produtos. Até que o roadmap combinado esteja claro, uma análise de ciclo de vida deve preceder qualquer nova entrada em projeto que dependa de famílias de produtos sobrepostas da Skyworks ou da Qorvo. O risco de consolidação vai além dos PAs de alta potência para estações rádio-base, já que ambas as empresas atuam em múltiplas camadas de front end de RF.

A China constrói sua própria cadeia de RF GaN

A China está internalizando mais partes da pilha de RF GaN. SICC fornece substratos de SiC semi-isolantes para dispositivos RF de GaN, enquanto a Sanan IC opera uma plataforma de foundry GaN-on-SiC de 4 polegadas voltada a estações rádio-base massive-MIMO e futuras aplicações FR3. A Sanan afirma que seu processo de PA para 5G alcançou produção estável em massa para clientes, embora a possibilidade de um determinado programa usar essa capacidade dependa de restrições de qualificação, sourcing e controle comercial.

Quatro práticas para uma BOM de RF resiliente

A resiliência do ciclo de vida depende de perceber as mudanças cedo o suficiente para agir e de ter um processo pronto para responder. Estas quatro práticas encurtam o tempo entre uma mudança de fornecedor e a resposta da engenharia.

1. Verifique o status de ciclo de vida na entrada do projeto. Identifique peças de fonte única ou envelhecidas enquanto o esquemático e o plano de qualificação ainda estão abertos, para que haja tempo de avaliar alternativas sem forçar um redesenho tardio.

2. Qualifique alternativas enquanto o dispositivo principal ainda está em produção. Para potência de RF, a qualificação pode incluir casamento de impedância, polarização, comportamento térmico, layout, linearidade, predistorção e testes de produção. Conclua esse trabalho antes de depender de uma alternativa como segunda fonte.

3. Dê às notificações de mudança de produto (PCNs) um responsável nomeado e um processo definido. Um responsável nomeado registra cada aviso, identifica as BOMs e os programas afetados, atribui uma decisão (qualificação de alternativa, last-time buy, redesenho ou nenhuma ação) com data de vencimento e acompanha até o encerramento. Sem um processo definido, uma PCN cai em uma única caixa de entrada e é encaminhada sem registro de quem decidiu o quê.

4. Monitore sinais de estoque e de ciclo de vida entre os avisos formais. As tendências de estoque dos distribuidores e o status de ciclo de vida podem mudar antes ou ao mesmo tempo que uma PCN. A BOM Tool da Octopart mostra a disponibilidade nos distribuidores e o status de ciclo de vida das peças correspondentes em uma BOM, para que você possa ver a queda de estoque de um componente de potência de RF antes da chegada de um aviso.

As datas a acompanhar

Cinco datas marcam a desmobilização da NXP e a transição de Chandler, de dezembro de 2026 até o início de 2029.

• 10 de dezembro de 2026: terminam as entregas finais da primeira onda de descontinuação de Radio Power da NXP.
• Primeiro trimestre de 2027: a NXP espera os wafers finais de ECHO GaN, de acordo com sua declaração reportada pela Light Reading.
• Início de 2027: sujeita a aprovações regulatórias, a Nokia planeja começar a arrendar capacidade de fabricação em parte do campus de Chandler que concordou em adquirir, e converter o local para produção de fosfeto de índio (InP) para componentes ópticos.
• 30 de setembro de 2027: terminam as entregas finais da segunda onda de Radio Power da NXP.
• Primeiro trimestre de 2029: espera-se que a aquisição integral do local pela Nokia seja concluída.

Escolher um dispositivo de potência de RF em 2027 começa com três perguntas sobre fornecedores: quem consegue fabricá-lo na frequência-alvo, para onde a capacidade fabril está se deslocando e quais fontes provavelmente permanecerão viáveis ao longo da vida útil do produto.

Uma pergunta permanece: uma peça que existe, foi qualificada e tem estoque pode ser enviada para onde o produto é fabricado? O artigo final desta série, The Gallium Problem in Your Radio: Export Controls and Single-Source Front Ends, responde a essa questão.