Wer stellt noch HF-Leistung her? Die Lieferantenübersicht 2027

Der erste Artikel dieser Reihe, 6G Has a Date Now – Your RF Front End Has a Deadline, zeigt, dass neues Spektrum im Bereich nahe 7 GHz neue RF-Frontends erfordern wird. Auch die Lieferantenbasis für RF-Leistung, von der diese Designs abhängen, verändert sich. NXP fährt seine Produktlinie Radio Power zurück und schließt seine ECHO-Galliumnitrid-(GaN)-Fab in Chandler, Arizona.

Designs, die weiterhin NXP-RF-Leistungskomponenten verwenden, benötigen jetzt qualifizierte Alternativen von anderen Anbietern. Dieser Artikel zeigt auf, wer noch RF-Leistungsbauelemente herstellt, wohin sich dieses Angebot verlagert und wie sich eine RF-Stückliste während des Übergangs robust halten lässt.

Zentrale Erkenntnisse

• Die Last-Time-Buy-Fristen für NXP Radio Power sind abgelaufen: Bestellungen endeten am 30. September 2026, die letzten Lieferungen laufen bis zum 30. September 2027.
• Es gibt keinen einheitlichen Ersatzpool: SEDI, Qorvo, Ampleon, MACOM, RFHIC und Mitsubishi Electric decken jeweils unterschiedliche Kombinationen aus Frequenz, Leistung, Gehäuse, Leistungsverstärker-(PA)-Architektur und Anwendung ab.
• Andere Anbieter stoßen in die entstandene Lücke vor: Ampleon baut sein 5G-GaN-Portfolio aus, MACOM kontrolliert inzwischen eine RF-Fab für GaN-on-SiC, und China baut seine RF-GaN-Lieferkette aus.
• Lebenszyklus-Resilienz beginnt bereits beim Design-in: Qualifizierte Alternativen und ein definierter Prozess für Lebenszyklus- und Lieferantenänderungen gehören vom ersten Schaltplan an in den Designplan.

Die Last-Time-Buy-Fristen von NXP sind abgelaufen

Beide Last-Time-Buy-Fenster von NXP Radio Power sind nun geschlossen. Die erste Abkündigungsmitteilung legte in der aktualisierten Fassung den 10. Juni 2026 als Last-Time-Buy-Datum fest, bei Lieferende am 10. Dezember. Die zweite Mitteilung schloss die Bestellmöglichkeit am 30. September 2026, wobei sich die letzten Lieferungen bis zum 30. September 2027 erstrecken.

Die Lage nach NXP

Es gibt keine universelle Liste von NXP-Ersatzteilen. Die infrage kommende Lieferantengruppe verschiebt sich je nach Frequenz, Ausgangsleistung, Gehäuse, Leistungsverstärker-(PA)-Architektur, Qualifikationsanforderungen und danach, ob das Design für Telekommunikations-, Industrie- oder Verteidigungsmärkte bestimmt ist.  

Für Wireless-Infrastruktur unterhalb von 6 GHz verfügen mehrere Anbieter über aktive GaN-Portfolios. Sumitomo Electric Device Innovations (SEDI) fertigt GaN-High-Electron-Mobility-Transistoren (HEMTs) für Mobilfunk-Basisstationen, einschließlich 5G-Anwendungen. RFHIC führt GaN-on-Siliziumkarbid-(SiC)-Transistoren für 4G- und 5G-Makro-Infrastruktur in Serienproduktion, darunter Produkte im Bereich von 3,4 bis 5,0 GHz. 

Mitsubishi Electric liefert seit 2023 Muster von drei GaN-Leistungsverstärkermodulen für 5G-Massive-MIMO-Basisstationen aus, zuletzt im März 2025. Qorvo listet Infrastruktur-GaN-Leistungsverstärker in Serienproduktion sowie weitere RF-Frontend-Bauelemente. Ampleon deckt LDMOS (laterally diffused metal-oxide-semiconductor) und GaN ab, während MACOM GaN-on-SiC-Produkte, monolithische Mikrowellen-integrierte Schaltungen (MMICs) und eigene Foundry-Kapazitäten anbietet.

Unterhalb von 6 GHz ist die Lieferantenlandschaft gut etabliert. Im Bereich nahe 7 GHz sind Serienbauteile für zellulare Infrastruktur knapp. Mitsubishi Electric hat ein prototypisches 7-GHz-GaN-Leistungsverstärkermodul für 5G-Advanced demonstriert. RFHIC bietet einen GaN-Verstärker für 5,8 bis 7,2 GHz im Musterstadium an, und Qorvo führt einen Serien- GaN-Leistungsverstärker für 6 bis 12 GHz, der auf breitere RF-Anwendungen abzielt. GaN funktioniert bei diesen Frequenzen, aber ein Lieferantenpool mit Serienreife für zellulare Infrastruktur im Frequency Range 3 (FR3) hat sich noch nicht vollständig herausgebildet.

Ampleon und MACOM stoßen in die Lücke vor

Ampleon, 2015 aus NXP’s RF Power business hervorgegangen, hat die klarste historische Verbindung zum früheren Mutterkonzern. Im Frühjahr und Sommer 2026 ergänzte das Unternehmen seinen Katalog um mehrere Bauelemente für Wireless-Infrastruktur, darunter einen 70-W-GaN-Doherty-Transistor für 3,4 bis 4,0 GHz, ein 55-W-GaN-Bauelement für 4,8 bis 5,0 GHz sowie ein voll integriertes 70-W-GaN-Massive-MIMO-Leistungsverstärkermodul.

In der Ergebniskonferenz vom Mai 2026 erklärte das Management von MACOM, dass neue Umsätze aus dem Marktausstieg eines Wettbewerbers wahrscheinlich erst in der zweiten Hälfte des Jahres 2027 eintreffen würden. Kunden arbeiten noch ihre Last-Time-Buys ab, und die Umstellung einer RF-Leistungsstufe auf einen neuen Lieferanten erfordert vor Volumenlieferungen Redesign und Qualifizierungsarbeit.

Im Juli 2025 übernahm MACOM außerdem die volle Kontrolle über die frühere Wolfspeed-RF-Wafer-Fab in Research Triangle Park, rund sechs Monate früher als geplant. Die Fab, eine akkreditierte Trusted Foundry des U.S. Department of Defense (DoD), betreibt GaN-on-SiC-Prozesse für RF-Leistungsbauelemente und MMICs, die in Telekommunikation und Verteidigung eingesetzt werden.

Skyworks schließt die Übernahme von Qorvo ab

Ein weiterer Teil der RF-Lieferantenbasis hat sich konsolidiert. Skyworks gab seine Vereinbarung zur Übernahme von Qorvo im Oktober 2025 bekannt, erhielt am 30. September 2026 die letzten regulatorischen Freigaben und schloss die Transaktion Anfang Oktober ab.

Große Halbleiterfusionen können zu einer Portfoliobereinigung führen, wenn sich Produktlinien überschneiden. Bis die kombinierte Roadmap klar ist, sollte vor jedem neuen Design-in, das von überlappenden Produktfamilien von Skyworks oder Qorvo abhängt, eine Lebenszyklusprüfung erfolgen. Das Konsolidierungsrisiko reicht über Hochleistungs-PAs für Basisstationen hinaus, da beide Unternehmen über mehrere Ebenen des RF-Frontend-Marktes hinweg tätig sind.

China baut eine eigene RF-GaN-Kette auf

China baut größere Teile des RF-GaN-Stacks im eigenen Land auf. SICC liefert halbisolierende SiC-Substrate für GaN-RF-Bauelemente, während Sanan IC eine 4-Zoll-GaN-on-SiC-Foundry-Plattform betreibt, die auf Massive-MIMO-Basisstationen und künftige FR3-Anwendungen ausgerichtet ist. Sanan gibt an, dass sein 5G-PA-Prozess eine stabile Serien-Massenproduktion bei Kunden erreicht hat, wobei die Nutzung dieser Kapazität für ein konkretes Programm jedoch von Qualifikation, Beschaffung und Exportkontrollauflagen abhängt.

Vier Praktiken für eine robuste RF-Stückliste

Lebenszyklus-Resilienz hängt davon ab, Änderungen früh genug zu erkennen, um handeln zu können, und einen reaktionsfähigen Prozess bereitstehen zu haben. Diese vier Praktiken verkürzen die Zeit zwischen einer Lieferantenänderung und der Reaktion des Engineerings.

1. Lebenszyklusstatus bereits beim Design-in prüfen. Identifizieren Sie Single-Source- oder alternde Bauteile, solange Schaltplan und Qualifikationsplan noch offen sind, damit Sie genügend Zeit haben, Alternativen zu bewerten, ohne ein spätes Redesign zu erzwingen.

2. Alternativen qualifizieren, solange das Primärbauelement noch in Produktion ist. Bei RF-Leistung kann die Qualifikation Matching, Biasing, thermisches Verhalten, Layout, Linearität, Predistortion und Produktionstests umfassen. Schließen Sie diese Arbeiten ab, bevor Sie sich bei einer Second Source auf eine Alternative verlassen.

3. Product Change Notifications (PCNs) mit einem klar benannten Verantwortlichen und einem definierten Prozess versehen. Ein benannter Verantwortlicher erfasst jede Mitteilung, identifiziert die betroffenen Stücklisten und Programme, weist mit Termin eine Maßnahme zu (Alternativqualifikation, Last-Time-Buy, Redesign oder keine Aktion) und verfolgt sie bis zum Abschluss. Ohne einen definierten Prozess landet eine PCN in einem einzelnen Postfach und wird weitergeleitet, ohne dass dokumentiert ist, wer was entschieden hat.

4. Bestand und Lebenszyklussignale zwischen formalen Mitteilungen überwachen. Trends bei Distributorbeständen und Lebenszyklusstatus können sich vor oder parallel zu einer PCN verändern. Das BOM Tool von Octopart zeigt Distributorverfügbarkeit und Lebenszyklusstatus für die abgeglichenen Teile einer Stückliste, sodass Sie sinkende Bestände bei einem RF-Leistungsbauteil erkennen können, bevor eine Mitteilung eintrifft.

Die Termine, die im Blick bleiben sollten

Fünf Termine markieren das Herunterfahren bei NXP und die Übergabe des Standorts Chandler – von Dezember 2026 bis Anfang 2029.

• 10. Dezember 2026: Die letzten Lieferungen der ersten Radio-Power-Abkündigungswelle von NXP enden.
• Erstes Quartal 2027: NXP erwartet die letzten ECHO-GaN-Wafer, laut der von Light Reading berichteten Erklärung.
• Anfang 2027: Vorbehaltlich regulatorischer Genehmigungen plant Nokia, mit der Anmietung von Fertigungskapazität in einem Teil des Chandler-Campus zu beginnen, dessen Erwerb vereinbart wurde, und den Standort auf Indiumphosphid-(InP)-Produktion für optische Komponenten umzustellen.
• 30. September 2027: Die letzten Lieferungen der zweiten Radio-Power-Welle von NXP enden.
• Erstes Quartal 2029: Der vollständige Erwerb des Standorts durch Nokia soll abgeschlossen werden.

Die Auswahl eines RF-Leistungsbauelements im Jahr 2027 beginnt mit drei Fragen an den Lieferanten: Wer kann es bei der Zielfrequenz fertigen, wohin verlagern sich die Fab-Kapazitäten, und welche Quellen werden voraussichtlich über die gesamte Nutzungsdauer des Produkts hinweg tragfähig bleiben?

Eine Frage bleibt offen: Kann ein Teil, das existiert, qualifiziert ist und auf Lager liegt, auch dorthin geliefert werden, wo das Produkt gefertigt wird? Der abschließende Artikel dieser Reihe, The Gallium Problem in Your Radio: Export Controls and Single-Source Front Ends, beantwortet sie.