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PCB設計、回路設計、回路図入力については、ライブラリのリソースをご覧ください。配線記号や電子回路図から、次回のPCB設計プロジェクトのベストプラクティスまで、さまざまなトピックを紹介しています。
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アナログ信号およびデジタル信号向けI/Oエキスパンダー
1 min
Blog
電気技術者
ミックスドシグナル設計でもI/O拡張は必要です。GreenPAKを使って、アナログ信号とデジタル信号のI/O拡張を構築する方法をご覧ください。
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ミックスドシグナル設計向けのクロック分周回路とコンポーネント
1 min
Blog
電気技術者
クロック分周回路にはさまざまな種類がありますが、混在信号システムにおける処理フローの一部としてクロック分周を実現できる製品は、RenesasのGreenPAKだけです。
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小規模ミックスドシグナル設計におけるクロック分周
1 min
Blog
電気技術者
リタイミングやMCUの動作なしで、ミックスドシグナルシステムにおけるクロック分周を簡単に実装できます。GreenPAK がクロック分周をどのように実現するかをご覧ください。
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PCB設計プロセス:EDA設計アプローチ
1 min
Blog
PCB設計者
電気技術者
技術マネージャー
EDAを活用してPCB設計プロセスを合理化しましょう。要件、回路図、レイアウト、リリースを整えて、再設計を減らし、初回合格率を向上させます。
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PCB設計者はどのように部品を選定するのでしょうか?
1 min
Blog
電気技術者
PCB設計者がプロジェクト向けにどのように部品を選定しているのか、また主要部品の選択を誰が主導しているのかをご覧ください。
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Customer Success Stories
SpaceQuest
Find out how SpaceQuest used Altium to develop an experimental identification system from concept to flight hardware in six weeks.
理想的な整流ブリッジ
1 min
Blog
シミュレーションエンジニア
はじめに 過去数十年にわたり、エネルギー効率の向上は電子設計、特にバッテリー駆動デバイスや電源供給装置の分野で重要な課題となっています。一般的に用いられている伝統的な電圧整流方法や逆極性保護は、大きな電力損失を伴うため、理想的とは言えず、熱要求を増加させ、設計上の制約を課しています。 この記事では、この問題に対する革新的なアプローチ、すなわちMOSFETを整流ダイオードの代わりとして使用する方法に焦点を当てます。理想的なダイオードとして使用されるこれらのトランジスタは、電力損失を大幅に削減し、複雑で高価な冷却システムの必要性をなくします。第一部では、システムを逆極性から保護するための入力回路でダイオードの代わりにMOSFETを使用することに焦点を当てます。第二部では、MOSFET制御技術のさらなる進歩が電源設計をどのように革命化し、さらに高いエネルギー効率と小さな寸法を持つシステムにつながるかを分析します。 逆極性保護への古典的なアプローチ モバイルバッテリー駆動デバイスの開発が始まって以来、設計者にとっての課題の一つは、効果的な逆極性保護を確保しつつ、電力損失を最小限に抑えることでした。逆極性保護の古典的なアプローチは、図1に示されているように、電源と直列に整流ダイオードを使用することです。これらのダイオードは、電源回路に配置され、電流が一方向にのみ流れるようにし、逆極性によるデバイスの損傷を防ぎます。最適化への第一歩として、整流ダイオードをショットキーダイオードに置き換えることで、約50%の効率向上が図られ、電圧降下が0.6-0.7Vから約0.3-0.4Vに減少しました。これは一般的に使用される方法ですが、電圧降下や電力損失といった欠点があります。低電流時に250-300mVの電圧降下を持つバッテリー用途の特殊ダイオードが開発されたにもかかわらず、古典的な解決策は依然として最適とは言えません。 図1: 古典的な逆極性保護 図1に示されたアプローチは、エネルギー効率の良い電池駆動デバイスにおいて長い間受け入れられてきました。その際、電力損失はある程度「コストに組み込まれた」とされていました。しかし、この解決策は、より多くの電力を必要とするデバイスには全く適していませんでした。そのようなデバイスの例には、CB無線、カーオーディオシステム、マルチメディアシステムなど、自己設置を目的としたさまざまな自動車用機器が含まれます。これらの場合、図2に示すように、駆動される受信機と並列に入力ダイオードを使用することが一般的でした。残念ながら、この構成では、誤った極性の場合に回路損傷を100%防ぐことはできませんでした。 図2: 高電流デバイスで使用される逆極性保護 逆極性保護にMOSFETトランジスタを使用する MOSFETトランジスタの普及と入手可能性により、図3に示すようなダイオード構成で使用されるMOSFETを用いた効果的な解決策が現れました。 図3: 逆極性保護としてのMOSFET: A) PチャネルMOSFETを使用する場合 B) NチャネルMOSFETを使用する場合 理想的なダイオード構成は、トランジスタのRDS(ON)値と負荷電流によって決定される低い電圧降下を提供します。例えば、電流が1AでRDS(ON)=10 mΩの場合、トランジスタを通過する電圧降下はわずか10
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