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Altium Designer - 回路・基板設計ソフトウェア

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HDIをめぐる競争: VeCS

HDIをめぐる競争: VeCS 先ごろ、ヨーロッパの非常に創造力豊かな技術者が、レイヤー間の接続について、従来のスルーホールより高密度の、これまでにない概念を提案しました。その技術者は、NEXTGin Technologies BV [1] のJoan Torne氏です。彼の技術は「VeCS（Vertical Conductive Structures）」というものです。この技術は、従来のPCB TH製造設備を使用して、0.4mmピッチのBGAまで性能を落とし、密度をHDIレベルにまで高めます。この概念では、ペック穴開け、スロットまたはキャビティの基板内への（接続を隠すため）あるいは基板を貫通した配線を行い、金属化してメッキします。最終的な実装段階では、図1aのように、やや大きい穴を開けてレイヤー間に垂直の接続を作成します。図1bからわかるように、これらのより小規模な垂直接続は、ドリルで穴を開けた従来のスルーホールほど場所を取らないので、配線により多くのスペースを使うことができます。図1cの作成例では、1.0mmピッチのBGAの場合のTH、マイクロビア、およびVeCSを比較しています。THでは、スイングマイクロビアを使用しながらドッグボーンブレークアウトの下に2トラックを押し込み、7トラックを達成できます。7トラックのVeCSのブレークアウトは同様の密度です。ピッチを0.5mmに落としたBGAの場合、THでは、パッド内ビアの使用時1トラックを超えて配線する余地はありませんが、ブラインドビアの間には7トラックを配線できます。VeCSは、ほぼ同じ密度で、垂直接続の間に5トラックを配線できます。1.0mmのピッチでキャビティに2つの異なる配線を施した例からわかるように、ピッチがより大きい場合、VeCSブレークアウトは柔軟性があります。図1 a. VeCSテクノロジーは、完全な穴を採用するのではなく、レイヤーを接続する垂直のトレースを配線します。b. 垂直の壁のみを使用して作られた追加の配線スペースのメリットを 3Dビューで示しています。c. ブレークアウトが1.0mmと0.5mmの2つのBGAブレークアウトの例で 2つの一般的なテクノロジー、つまりTH およびHDIとVeCSを比較しています。図1cの配線ルールを表1に示します。

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